從輩份講，2002是小字輩的，因為生產(chǎn)年代比較晚，大約是2000年。當然，晚出有，因為可以參照別人的成熟技術(shù)，采用新的結(jié)構(gòu)設(shè)計和元件。

外觀上看，與自己的2000六位半、2001七位半同樣大小，半寬，這在8位半里。別的八位半都是標準寬度。

指標上看，基本檔24小時1.2ppm，明顯不如主流8位半的0.5ppm，當然1年指標10ppm也不算很差。電阻基本檔1年9ppm，很不錯了，甚至比電壓檔的指標還好，這很少見。尤其是2年指標11ppm，更是少有。

溫度系數(shù)做的還不錯，2V檔0.2ppm/C，20V檔0.3ppm/C，2k/20k檔0.8ppm/C。

直流電流的指標350ppm/a很差，不比2001的400ppm好，34401的還是500ppm/a呢。

交流基本檔200ppm/a，二流水平。

轉(zhuǎn)移特性指標做的還不錯，20V是0.15ppm、10V是0.2ppm。這個指標比3458A還差了一倍，但比8508A要好。但是，2002的線性指標0.2ppm不高，因此看來轉(zhuǎn)移特性指標還是有水分。

噪音特性，NPLC=10下基本檔為0.6uVrms，還不錯，與3458A的0.3uVrms只差一倍。

從測試速度看，這是三款達到每秒6次的高速8位半之一。另外兩款中，3458實際測試速度要比指標高很多（10倍），而R6581與指標相等。2002到底，待測試后就見分曉。

外觀上看，盡管半寬的面板小，但安排的很緊湊，尤其是顯示內(nèi)容豐富，雙排VFD點陣，外加一排狀態(tài)行，與Advantest R6581類似。

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吉時利KEITHLEY2000，2001,2002,2010萬用表應(yīng)用領(lǐng)域：
 離散和無源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動器、開關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
電路保護器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機電子
基本運放電路
二極管和電路
晶體管電路

測試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計
結(jié)型場效應(yīng)晶體管設(shè)計
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管設(shè)計
太陽能電池和 LED 設(shè)計
高電子遷移率晶體管設(shè)計
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計

分析納米材料和實驗器件
碳納米管的電測量標準
測量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
在低功率和低壓應(yīng)用中實現(xiàn)準確、可靠的電阻測量
納米級器件和材料的電氣測量
提高超高電阻和電阻率測量的可重復(fù)性
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納米技術(shù)準確電氣測量的技術(shù)
納米級材料的電氣測量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
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測量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析

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評估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和試驗低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
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數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數(shù)據(jù)
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1. MOS 電容器

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